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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
比较
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
总分
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,501.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
3,161.0
18.7
写入速度,GB/s
1,501.2
12.5
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
381
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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