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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
4,672.4
14.4
写入速度,GB/s
1,906.4
8.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
2511
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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