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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
18.7
写入速度,GB/s
2,622.0
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3530
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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