RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
77
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
73
读取速度,GB/s
3,405.2
15.0
写入速度,GB/s
2,622.0
7.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1838
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link