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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
17.7
写入速度,GB/s
2,622.0
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3587
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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