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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
18.1
写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2580
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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