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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
69
读取速度,GB/s
13.4
13.6
写入速度,GB/s
12.1
6.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
1598
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
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