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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
13.4
9.8
写入速度,GB/s
12.1
8.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
2271
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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