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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
79
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
79
读取速度,GB/s
15.0
14.1
写入速度,GB/s
10.3
7.3
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1651
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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