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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
17.0
写入速度,GB/s
10.3
13.3
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3234
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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