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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
15.6
写入速度,GB/s
10.3
13.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3000
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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