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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
A-DATA Technology 11137401 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology 11137401 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
17.6
15.1
写入速度,GB/s
12.0
7.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1921
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology 11137401 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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