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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
15.7
写入速度,GB/s
12.0
12.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2517
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
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