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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
15.5
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2628
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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