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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
17.8
写入速度,GB/s
12.0
14.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3568
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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