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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
19.1
写入速度,GB/s
12.0
17.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3786
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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