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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 23400
    左右 1.09% 更高的带宽
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 33
    左右 -10% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 12.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 2761

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB RAM的比较

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