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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
14.5
写入速度,GB/s
12.0
7.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2361
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
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