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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
14.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3095
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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