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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.8
16.3
写入速度,GB/s
11.8
10.7
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2937
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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