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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 41
    左右 44% 更低的延时
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.7 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 41
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 13.5
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3114

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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内存RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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