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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
8.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2817
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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