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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
19.3
写入速度,GB/s
8.0
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3889
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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