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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.4
18.3
写入速度,GB/s
8.0
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3849
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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