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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
13.9
写入速度,GB/s
8.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2113
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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