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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
78
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
78
读取速度,GB/s
13.4
12.1
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2113
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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