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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.7
14.9
写入速度,GB/s
7.5
10.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2814
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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