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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
20.4
写入速度,GB/s
7.5
16.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3810
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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