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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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更快的读取速度,GB/s
15.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.7
15.4
写入速度,GB/s
7.5
10.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2892
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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