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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
13.7
写入速度,GB/s
7.5
6.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2046
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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