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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
12.5
写入速度,GB/s
7.5
6.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1858
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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