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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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