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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
43
读取速度,GB/s
14.4
13.2
写入速度,GB/s
9.5
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3257
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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