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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
60
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
60
读取速度,GB/s
9.7
15.0
写入速度,GB/s
7.2
12.8
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2554
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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