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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.7
16.6
写入速度,GB/s
7.2
12.3
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2893
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
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