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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
18.3
写入速度,GB/s
9.0
17.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3956
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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