RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
21.0
写入速度,GB/s
9.0
19.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4129
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link