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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
9.0
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2488
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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