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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
16.7
写入速度,GB/s
8.7
11.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2661
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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