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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
16.6
写入速度,GB/s
8.7
13.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3169
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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