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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
15.1
写入速度,GB/s
8.7
10.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3109
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HP687515-H63-KEB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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