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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
9.5
写入速度,GB/s
8.1
4.5
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1725
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB RAM的比较
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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