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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
78
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
78
读取速度,GB/s
10.2
14.2
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2087
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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