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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.2
19.5
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3635
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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