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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2728
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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