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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.2
9.8
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2229
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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