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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
12.8
写入速度,GB/s
8.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2817
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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