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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 44
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 9.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 1966

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
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内存RAM
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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