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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
48
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
48
读取速度,GB/s
11.2
11.6
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2466
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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