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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 44
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 10.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 2828

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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